简介： 本发明公开一种MEMS谐振结构的加工方法，提供硅晶圆作为衬底硅，在衬底硅的表面生长第一掩膜层；在第一掩膜层上加工开口图样；通过干法刻蚀去除与开口图样对应部分的第一掩膜层以及衬底硅，在衬底硅上形成凹槽结构；生长第二掩膜层，在所述凹槽结构的凹槽侧壁以及凹槽底部形成第二掩膜层，在所述衬底硅表面形成复合掩膜层；通过干法刻蚀去除所述第二掩膜层，使所述凹槽底部的所述第二掩膜层全部去除；通过干法刻蚀再次对所述衬底硅进行刻蚀，使所述凹槽结构加深，并使得新刻蚀的凹槽侧壁上没有掩膜层覆盖；通过湿法刻蚀在所述衬底硅内部连通开口图样形成空腔；淀积下电极、压电功能材料以及上电极；图形化并通过干法刻蚀释放谐振结构。