简介： 本申请提供了一种带有插入层的多量子阱发光二极管及其制备方法，在多量子阱有源层的阱层和垒层之间加入二维功能材料插入层，其透光性好，且能阻隔外延层生长缺陷，有效避免阱层与垒层之间因生长缺陷造成的电子空穴猝灭，降低电光转换热损耗，同时插入层避免电子溢出，提高载流子注入效率，使发光二极管亮度高，寿命长，电光转换效率高，节能环保。