简介： 本发明提供一种新型半导体器件的制备方法，包括：在第一衬底上形成防缺陷结构，其中，所述防缺陷结构包括叠层结构和图形化结构中的任意一种或两种的组合；在防缺陷结构上形成第一功能材料，以形成低缺陷衬底。本发明提供的新型半导体器件的制备方法，能够以叠层结构或者图形化结构降低膜层中的缺陷，同时，阻挡位错的移动，避免穿透位错的形成。