简介： 本发明涉及一种源漏电极的制备方法、阵列基板的制备方法和显示机构。该源漏电极的制备方法包括如下步骤：在衬底上设置导电层；在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽，形成具有图案的光刻胶层；及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除光刻胶层，得到形成有图案层的导电层，得到源漏电极。采用上述制备方法得到的源漏电极的电导率较高。