简介:
本发明涉及一种用于集成电路芯片、电子器件、电路板或功能材料封装的吸收光谱可调控的聚对二甲苯封装和防护涂层制备方法。制作者首先将对二甲苯二聚体粉末放入真空供料舱内,升温至120~150℃,汽化为对二甲苯二聚体气体,对二甲苯二聚体气体通过650℃裂解管裂解为活性对二甲苯聚集体气体;同时将选定具有不同发光光谱特征的不同类型蒽醌类或偶氮类或酞菁类化合物混合粉末作为新型合成光谱特征的合成前驱体,放入掺杂供料舱内,升温至150~300℃,在控制真空度为0.01~100Pa条件下,活化气体均匀吸附于表面并产生自由基聚合反应,沉积形成0.1~50微米厚度的吸收光谱可调控的聚对二甲苯基涂层,得到具有吸收光谱可调控的聚对二甲苯封装和防护层的成品。
本发明涉及一种用于集成电路
芯片、电子器件、电路板或
功能材料封装的吸收光谱可调控的聚对二甲苯封装和防护涂层制备方法。制作者首先将对二甲苯二聚体粉末放入真空供料舱内,升温至120~150℃,汽化为对二甲苯二聚体气体,对二甲苯二聚体气体通过650℃裂解管裂解为活性对二甲苯聚集体气体;同时将选定具有不同发光光谱特征的不同类型蒽醌类或偶氮类或酞菁类化合物混合粉末作为新型合成光谱特征的合成前驱体,放入掺杂供料舱内,升温至150~300℃,在控制真空度为0.01~100Pa条件下,活化气体均匀吸附于表面并产生自由基聚合反应,沉积形成0.1~50微米厚度的吸收光谱可调控的聚对二甲苯基涂层,得到具有吸收光谱可调控的聚对二甲苯封装和防护层的成品。