简介： 本发明公开一种柔性光电子器件的制备方法，该方法采用氧化锗作为牺牲层，通过在氧化锗层上沉积、图案化多种功能材料层，采用水作为腐蚀液剥离衬底，得到柔性光电子器件。该制备方法因氧化锗可承受高温、承受等离子体轰击，所以可以实现高质量光学薄膜在高温条件下，在等离子体轰击诱导条件下的沉积和退火优化，完成高性能柔性光电子器件的制备；且在整个柔性光电子器件制备过程中，氧化锗遇水即溶，水作为腐蚀液最大可能避免了薄膜材料的损伤，保证了器件的完整性；本发明的方法可扩展到多种类光学材料柔性光电子器件，可以广泛应用于集成光学器件、空间光学器件和电子元器件的制备。此外，该方法还可用于实现柔性多层波导集成器件。