简介： 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括逻辑区和有源区，所述逻辑区和所述有源区中形成有在逻辑区NMOS、有源区NMOS和有源区PMOS中去除虚拟栅极之后形成的凹槽；步骤S2：在所述凹槽中形成高K介电层；步骤S3：在所述有源区NMOS和所述有源区PMOS的所述高K介电层上形成功能材料层，以分别作为所述有源区NMOS的第一覆盖层和所述有源区PMOS的第一功函数层；步骤S4：在所述有源区PMOS上形成第二覆盖层和第二功函数层；步骤S5：在所述逻辑区NMOS、所述有源区NMOS和所述有源区PMOS上沉积NMOS功函数层和粘结胶层；步骤S6：沉积导电材料，以覆盖所述粘结胶层同时填充所述凹槽。