简介： 一种p型单晶硅片的表面处理方法,用于全硅光电子器件、传感器、生物医学和功能材料等领域。本发明包括p型单晶硅片的前处理、电化学阳极氧化法制备p型多孔单晶硅片,然后对p型多孔单晶硅片进行后处理,得到具有发光强度高且在空气中长期存放发光不衰减,峰位不蓝移的p型多孔单晶硅片。