简介： 一种制备稀土掺杂SN-TE基高致密度块体稀磁半导体材料的方法,采用的原料组分及用量(重量份)为:稀土元素1～10,金属SN 40～47,金属TE 50～52,按所述原料组分及用量制备所述稀磁半导体材料的方法是:依据稀土-SN-TE三元合金相图,计算出要制备的稀磁半导体材料的原料配比,然后将所述原料混合均匀;将混匀料真空封装进石英管中,放进高温箱式电阻炉中于500～600℃保温1～3个小时,再用高频炉熔炼,然后把熔炼好的材料研磨成粉末,经高温烧结即得高致密块体稀磁半导体材料。采用本发明制备得的稀磁半导体材料晶粒均匀、纯度高,可用于制作各种功能材料以及功能薄膜的靶材,便于工业化生产。