简介： 本发明公开了一种具有低热导率、高绝缘、高强度的陶瓷基板材料及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件技术领域。所述陶瓷材料由主晶相材料和掺杂相材料经球磨混合、预烧、轧膜成型、烧结制成，包括主晶相Mg₂SiO₄和掺杂相Mg‑Al‑Si玻璃粉、ZrO₂、Y₂O₃；各组分的质量百分比含量为Mg₂SiO₄ 75～80％；Mg‑Al‑Si玻璃16～23％；ZrO2 0～1％；Y₂O₃ 0～1％。与现有技术的同类陶瓷材料相比，本发明具有优良的性能：较低的热导率(<5w/m·k)、较高的绝缘电阻(>10¹⁴Ω·cm)、高的抗弯强度(>200MPa)；本发明工艺简单可行，实现了此类基板材料大批量轧膜成型，使低热导率、高绝缘、高强度的陶瓷基板材料生产成为可能。