简介： 一种镓掺杂的氧化物透明导电薄膜材料的制备 方法，属于光电子信息功能材料技术领域。在ZnO薄膜中进行 镓掺杂，用偏压射频磁控溅射技术在真空条件下，在有机聚合 物薄膜衬底上室温制备出具有多晶结构的ZnO∶Ga透明导电 膜，溅射用陶瓷靶组分为氧化锌和三氧化二镓，工艺条件为： 氩气分压0.5－5Pa，溅射功率50－200W，溅射偏压0～－100V。 制得薄膜的载流子浓度为1.2× 1021cm－ 3，迁移率为 13.5cm2V－ 1S－1，电阻率为 4.6×10－4Ωcm，方块电阻6.2 Ω/□，可见光范围的透过率超过83％。扣除有机材料衬底的 影响，在可见光范围内薄膜的平均透过率可以达到90％，性能 优于ZnO∶Al薄膜，因此在有机平板显示和有机光电子器件等 领域可以替代现有的透明导电膜材料。