简介： 本发明提供的一种应用于乙醇传感器的VSe2单晶薄膜的制备方法，属于功能材料制备技术领域。首先将V和Se粉体放置于石英管底部，将石英管抽真空并进行封管；然后将封装好的石英管竖直放入立式炉中，通过设定立式炉的升降温及保温程序，精确控制炉内温度以满足晶体的加热、长晶过程，V和Se粉体在温度与重力场的协同作用下，变成蒸汽并在台阶处的基片上生长得到VSe2单晶薄膜。本发明方法中，晶体的生长是在真空石英管中完成的，不涉及气体的通入及废气的处理过程；且方法简单，成本低廉，得到的单晶薄膜纯度高，品质好，可作为高纯度本征单晶半导体材料，应用于乙醇传感器等气体传感器中。