简介： 一种Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备方法,属于光电子信息功能材料领域,涉及一种掺杂ZnO纳米材料的制备技术。本发明采用化学气相沉积的方法,通过Sn的催化,在镀有金膜的硅片上获得大量Ga掺杂ZnO纳米线,纳米线的直径约25~90nm,长度为10~20μm。Ga的掺杂含量为0.5~15at.%,Sn的含量为0.5~6at.%。本发明通过控制Sn的含量,在有效改善ZnO形貌的同时,又保证了Ga掺杂ZnO纳米线的发光性能,扩大了ZnO原有领域的应用范围;由于采用的气流量比较小,生长时间相对比较短,其操作简单,成本低,效率高,并且对环境无污染。