简介： 一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法,属于光电信息功能材料领域。本方法以ZN粉和AL粉为蒸发源,相邻放置在三氧化二铝舟中,清洗后的硅片放置在蒸发源的正上方,距离源的垂直距离为1～2MM,然后将舟放入水平管式炉中;将管式炉升温至800℃～850℃,保温45～60MIN,在整个生长过程中,炉腔内始终充入40～50ML/MIN的氩气,生长结束后管式炉自然冷却到室温,取出硅片,在硅片表面沉积有AL掺杂ZNO纳米线。本方法无需真空设备,只需在常压条件下就可以合成出直径为40～370NM,长达30～150ΜM的AL掺杂ZNO纳米线,而且合成温度低,从而大大降低了生产成本。