ZAO系半导体纳米导电膜及其制备方法
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ZAO系半导体纳米导电膜及其制备方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明属于光电子功能材料技术领域,具体为一种ZAO半导体纳米导电膜及其制备 方法。本发明在ZAO系透明导电膜上再沉积一层透明保护膜,使之能保证该复合膜具有 低电阻率、高可见光的透射率、高红外线的反射率、耐潮与不受环境因素的影响。为了连 续生长大面积ZAO系透明导电膜,专门设计了多靶卷绕式高真空溅射台。在高真空室内 需用冷却系统,使柔性基底的温度保持在60℃~150℃。电源使用不对称脉冲直流装置,可 使靶材表面在工作时不“中毒”,而电源的有用功率比常规电源高2倍多。溅射气体是高 纯Ar和O2,以保证膜的溅射沉积率较高以及有优良的薄膜光学和电学特性。
本发明属于光电子功能材料技术领域,具体为一种ZAO半导体纳米导电膜及其制备 方法。本发明在ZAO系透明导电膜上再沉积一层透明保护膜,使之能保证该复合膜具有 低电阻率、高可见光的透射率、高红外线的反射率、耐潮与不受环境因素的影响。为了连 续生长大面积ZAO系透明导电膜,专门设计了多靶卷绕式高真空溅射台。在高真空室内 需用冷却系统,使柔性基底的温度保持在60℃~150℃。电源使用不对称脉冲直流装置,可 使靶材表面在工作时不“中毒”,而电源的有用功率比常规电源高2倍多。溅射气体是高 纯Ar和O2,以保证膜的溅射沉积率较高以及有优良的薄膜光学和电学特性。
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