简介:
本发明涉及涉及一种钛酸铋钠基无铅压电薄膜及其制备方法,属于电子功能材料和器件领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤:步骤1,将硝酸铋、乙酸钠、乙酸锶加入溶剂,搅拌得溶液A;步骤2,将乙酰丙酮、钛酸四丁酯、九水合硝酸铁、四水合乙酸锰溶于溶剂,搅拌、加热,得溶液B;步骤3,将溶液A与溶液B混合,预处理后得混合液C;以及步骤4,用旋涂法将混合液C涂覆在处理好的基片上,高温处理后,即得(0.72‑x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‑0.28SrTiO3‑xBi(Fe0.95Mn0.03Ti0.02)O3三元体系钛酸铋钠基无铅压电薄膜。所以,本发明制备得到的压电薄膜表面平整光滑、具有典型的钙钛矿结构、较高的极化强度以及优异的压电性能,同时逆压电系数最高可达179.7皮米/伏,对于开发高性能无铅压电薄膜具有非常重要的意义。
本发明涉及涉及一种钛酸铋钠基无
铅压电薄膜及其制备方法,属于电子
功能材料和器件领域。本发明提供的制备方法包括如下步骤:步骤1,将硝酸铋、乙酸钠、乙酸锶加入溶剂,搅拌得溶液A;步骤2,将乙酰丙酮、钛酸四丁酯、九水合硝酸铁、四水合乙酸
锰溶于溶剂,搅拌、加热,得溶液B;步骤3,将溶液A与溶液B混合,预处理后得混合液C;以及步骤4,用旋涂法将混合液C涂覆在处理好的基片上,高温处理后,即得(0.72‑x)(Bi
0.5Na
0.5)TiO
3‑0.28SrTiO
3‑xBi(Fe
0.95Mn
0.03Ti
0.02)O
3三元体系钛酸铋钠基无铅压电薄膜。所以,本发明制备得到的压电薄膜表面平整光滑、具有典型的
钙钛矿结构、较高的极化强度以及优异的压电性能,同时逆压电系数最高可达179.7皮米/伏,对于开发高性能无铅压电薄膜具有非常重要的意义。