简介： 本发明属于光电功能材料技术领域，尤其涉及一种相变可控的全无机钙钛矿薄膜制备方法及器件应用。所述方法包括：(1)将先驱物溴化铅和溴化铯分别置于气相沉积装置内，将衬底置于沉积区，并对整个装置抽真空；(2)向气相沉积装置内通入惰性气体；(3)设定沉积温度和沉积时间，沉积温度选自500‑800℃，不同沉积温度下，钙钛矿薄膜的成分和晶型不同。本发明采用化学气相沉积方法，工艺条件简单，易于精确控制，适合产业化生产，同时薄膜均匀性好，与衬底材料附着性，覆盖性好，制备的光电薄膜，具有广阔的应用前景。本发明通过改变沉积温度，实现钙钛矿相从CsPb₂Br₅到CsPbBr₃可控生长。基于本发明得到的钙钛矿薄膜制备的光电探测器，表现出良好的光电响应和开关特性。