低阈值电压有机二极管及其制备方法
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低阈值电压有机二极管及其制备方法
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简介: 本发明公开了一种低阈值电压有机二极管,该低阈值电压有机二极管包括:下电极;形成于下电极之上的金属氧化物插层;形成于金属氧化物插层之上的有机功能材料层;形成于有机功能材料层之上的有机材料缓冲层;以及形成于有机材料缓冲层之上的上电极。本发明还公开了一种制备低阈值电压有机二极管的方法。利用本发明,以金属氧化物插层来调整下电极与有机材料层的接触势垒,从而达到调整有机二极管的阈值电压的效果,有效地降低了有机二极管的阈值电压。
本发明公开了一种低阈值电压有机二极管,该低阈值电压有机二极管包括:下电极;形成于下电极之上的金属氧化物插层;形成于金属氧化物插层之上的有机功能材料层;形成于有机功能材料层之上的有机材料缓冲层;以及形成于有机材料缓冲层之上的上电极。本发明还公开了一种制备低阈值电压有机二极管的方法。利用本发明,以金属氧化物插层来调整下电极与有机材料层的接触势垒,从而达到调整有机二极管的阈值电压的效果,有效地降低了有机二极管的阈值电压。
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