简介： 本发明涉及一种带隙可调的全无机钙钛矿单晶及其生长方法，该方法先将卤化铯和卤化铅原料在单温区炉中高温反应烧结，得到纯相混卤钙钛矿晶体多晶料，然后密封入石英坩埚中，再装入双温区布里奇曼炉的生长腔内进行晶体生长，本发明采用高温区、低温区进行加热，可以提高晶体的结晶质量以及光学透过率，得到的混卤全无机钙钛矿单晶实现1.86～2.88eV可调节的带隙，在窄带宽光电探测等领域有着极好的应用前景。