简介： 本发明所述的一种多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿忆阻器，该结构由顶电极层，金属卤化物钙钛矿层、底电极层以及衬底层构成。顶电极层为金或银纳米线，纳米线直径70nm,长度为20μm；阻变层为多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿层，厚度为100‑200nm；底电极层主要为铂，厚度为30～70nm；衬底层，厚度为520～530μm。本发明具有如下优点：制备了一种多枝状类雪花片结构的金属卤化物钙钛矿，该结构可有效控制阻变过程粒子的迁移路径，降低导电通道形成的随机性，为忆阻器性能的提升优化提供了方法。本发明采用选旋涂法，制备方法简单，成本较低，在非易失性存储器、存算一体器件、神经突触模拟等领域应用广泛，有利于探索性能优异的阻变器件。