简介： 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于高迁移率TCO薄膜的低损耗光波导移相器。该器件基于光波导平台制备，从下至上依次为基底、脊型硅波导、二氧化铪层、电光功能材料层和二氧化铪包层以及设置于电光功能材料层表面和硅表面的电极。电光功能材料层为迁移率大于200cm²V^‑1s^‑1的TCO薄膜。本发明的器件基于光波导平台，将用于光开关调制器迁移率大于200cm²V^‑1s^‑1的TCO薄膜作为电光功能材料层，实现了电光移相的硅波导移相器与硅制备工艺兼容，调制速率可达100GHz以上，插入损耗3dB以下。