简介： 本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅功能结构，所述栅功能结构包括：一层栅功能层或多层栅功能层；形成所述栅功能层的步骤包括：在衬底上形成功能材料层；对所述功能材料层表面进行解复合处理，减少所述栅功能材料层表面的陷阱缺陷俘获的带电离子；所述解复合处理之后，对所述栅功能材料层表面进行钝化处理，减少所述栅功能材料层表面的陷阱缺陷；在所述栅功能结构上形成栅极。所述解复合处理和钝化处理能够减少所形成半导体结构的低频噪声。