简介： 本发明涉及电子学领域,特别是涉及一系列新型p-n结。本发明将n型或p型的钙钛矿结构氧化物(选择掺杂的钛酸钡或钛酸锶或锰酸镧)与n型或p型的半导体材料(选择掺杂的硅或锗或砷化镓)进行叠层生长,制备成半导体和钙钛矿结构氧化物的p-n结、p-p结、n-n结、p-n-p结、n-p-n结等多种结构。本发明的制作工艺简单,稳定性好,可广泛应用于电子器件及探测器。