简介： 本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种形成复合功能材料结构的方法。所述方法,包括如下步骤:注入原子种类作用于施主晶片,在离子注入投影射程周围形成脆弱区;将施主晶片和衬底晶片进行键合;对键合后的结构在低真空下进行两步退火热处理,使得脆弱区从施主晶片剥离,在衬底晶片上形成薄层结构;对于剥离后的施主晶片和含有薄层结构的衬底晶片进行处理,得到所要求厚度的施主材料和所需要的复合功能材料结构。本发明将退火过程放在低真空中进行,能够降低在外部对晶圆的压力,从而减少了晶圆内部微小缺陷生长、成熟的阻力;而且还降低热预算,有利于形成高质量的复合功能材料结构,提高了注入离子的剥离效率。