含N-P=S共振结构的光电功能材料、制备方法及应用
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含N-P=S共振结构的光电功能材料、制备方法及应用
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简介: 本发明涉及一种含N-P=S共振结构的光电功能材料、制备方法及应用,其结构如式(I)所示:(I)其中Ar表示咔唑或者叔丁基咔唑,Ph是苯基。含有N-P=S共振结构,动态调节电学性能,高三线态能级,双极传输型的光电功能材料,其优点是:原料廉价,合成方法简便,并且该类材料具有良好的溶解性、成膜性和稳定性。通过引入N-P=S的共振结构可以明显的改善材料的载流子传输能力,赋予其优异的空穴传输和电子传输能力。利用本发明材料制备的电致发光器件,具有高效率、较低的启亮电压以及稳定的电致发光性能,本发明对发展高效稳定的有机发光二极管具有重要意义。
本发明涉及一种含N-P=S共振结构的光电功能材料、制备方法及应用,其结构如式(I)所示:(I)其中Ar表示咔唑或者叔丁基咔唑,Ph是苯基。含有N-P=S共振结构,动态调节电学性能,高三线态能级,双极传输型的光电功能材料,其优点是:原料廉价,合成方法简便,并且该类材料具有良好的溶解性、成膜性和稳定性。通过引入N-P=S的共振结构可以明显的改善材料的载流子传输能力,赋予其优异的空穴传输和电子传输能力。利用本发明材料制备的电致发光器件,具有高效率、较低的启亮电压以及稳定的电致发光性能,本发明对发展高效稳定的有机发光二极管具有重要意义。
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