简介： 本发明属于薄膜材料技术领域。薄膜组成的通式为La1－x－yMxKyMnO3，其中M＝Ca、Sr或Ba，0＜x＜1，0＜y＜1，x+y＜1。制备方法有下述步骤：(1)水热法合成靶材。先得到三重价态钙钛矿型锰氧化物黑色晶体。将制得的晶体研磨，压片，烧结，得到所用的靶材。(2)用射频磁控溅射方法制备薄膜。在常温下这类薄膜具有p－n结整流性质，因此可以作为独立器件，在晶体管、集成电路、整流器、激光器以及各种光电探测器件、微波器件、光电转换器件、量子计算集成器件等方面得到应用。