简介： 本申请公开了一种结构梯度变化的钙钛矿材料的制备方法及其应用，所述方法包括：将含有钙钛矿化合物和卤代烃的物料，离子交换和/或空位缺陷钝化，得到所述结构梯度变化的钙钛矿材料；所述钙钛矿化合物为钙钛矿多晶薄膜和/或钙钛矿单晶块体；所述离子交换的条件为：温度为80～140℃；时间为2～20h。本发明制备的钙钛矿材料具有低的缺陷态浓度和连续调制的半导体性能，在光电探测、传感成像、发光显示等半导体光电领域具有广泛的应用前景。