简介： 本发明公开了钙钛矿埋底界面材料、制备方法及应用，所述钙钛矿埋底界面材料MXene/SnO2QDs具有纳米级的量子点结构；MXene/SnO2QDs包括Ti3C2TXMXene QDs和SnO2QDs，Ti3C2TX MXene QDs的Ti元素分散在SnO2QDs的基底表面，Sn、O、Ti和C元素的含量分别为20‑25％、70‑75％、1‑2％和0‑1％。本发明有效地提高了器件的导电性、稳定性以及各项性能，显著降低了钙钛矿层的缺陷与空位。为钙钛矿器件的发展提供了新思路，在未来的通信、航天、农业等领域的探测等方面有着广泛的应用前景。