简介： 本发明属于以半导体材料制备的辐射探测技术领域，公开了一种铯铅卤素钙钛矿厚膜及其制备与应用，其中制备方法具体是：(1)将铯铅卤素钙钛矿材料分散在基底上，然后加热使温度升至铯铅卤素钙钛矿的熔点以上，直至铯铅卤素钙钛矿完全熔化成液态；(2)将石英片覆盖在液态的钙钛矿材料上，使被石英片覆盖的液态钙钛矿材料在所述基底上均匀分散；(3)将温度以0.1～5℃/min的速率缓慢降低进行冷却，然后将石英片揭掉，即可得到粘连在基底上的钙钛矿厚膜。本发明通过对制备方法的整体工艺流程设计(包括温度控制程序)等进行改进，能够获得高性能、取向一致、稳定的、高灵敏度大面积厚膜，解决现有技术存在的工艺复杂、灵敏度低、取向不一致等问题。