简介： 本发明涉及电子学晶体管技术领域。本发明将掺 杂的不同性质的p型和n型的SrTiO3、BaTiO3、YBCO和LaMnO3薄膜材料进行叠层, 形成p－n结、p－n－p结、n－p－n结和多结结构, 制备出钙钛矿结构氧化物复合膜晶体二极管、三极管、多基极三极管和多发射极三极管。本发明提供的晶体管工艺简单, 结面更锐, 稳定性好, 将成为多功能和广泛应用的电子器件, 可制作特殊的探测器, 并可能发展成为钙钛矿结构氧化物集成电路。