简介： 本发明公开了，涉及铌片制备技术领域，其包括如下步骤：第一步、严格选用矿石，利用萃取设备多次酸洗和反铌萃取；第二步、进行铝热还原、水平电子束，控制杂质元素含量；第三步、进行真空电子束精炼提纯，控制熔炼速度、熔炼真空度、熔炼功率；第四步、对整个过程进行整体过程进行二次污染控制；第五步、采用半成品高纯度铌片作为包覆材料，进行叠轧及包覆轧制工艺进行轧制。本发明在制备过程中，严格控制除钽元素以外，其余残余元素的含量，并控制铌片厚度，使最后制备的高纯度铌片可准确进行1.0MeV快中子的探测。