光电探测器及其制备方法
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光电探测器及其制备方法
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简介: 本发明适用于光电领域,提供了一种光电探测器及其制备方法,该光电探测器包括:基底层;以及依次层叠设置在所述基底层上的钙钛矿薄膜层、半导体等离子体层、NaYF4中间层、上转换层和电极层;所述上转换层为以NaYF4:Yb3+,Tm3+为壳,包覆NaYF4:Yb3+,Er3+制得的上转换纳米颗粒层。该光电探测器对于980nm近红外光的窄带的响应率和光电探测率最高可达0.331A/W,4.23×1010 Jones,外量子效率为41.92%,并且具有良好的稳定性,经过100天保存后,光电探测率仍然可以保持在初始值的70%。
本发明适用于光电领域,提供了一种光电探测器及其制备方法,该光电探测器包括:基底层;以及依次层叠设置在所述基底层上的钙钛矿薄膜层、半导体等离子体层、NaYF4中间层、上转换层和电极层;所述上转换层为以NaYF4:Yb3+,Tm3+为壳,包覆NaYF4:Yb3+,Er3+制得的上转换纳米颗粒层。该光电探测器对于980nm近红外光的窄带的响应率和光电探测率最高可达0.331A/W,4.23×1010 Jones,外量子效率为41.92%,并且具有良好的稳定性,经过100天保存后,光电探测率仍然可以保持在初始值的70%。
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