简介： 本发明公开了一种嵌套光栅结构的双极性自驱动偏振光探测器，属于光电探测领域。所述探测器为嵌套光栅结构，包括二氧化硅/硅衬底、设置于衬底上的金属纳米线光栅阵列，包覆于金属纳米线光栅阵列外的半导体层以及包覆于半导体层外的透明导电层。该探测器可实现正交的TE和TM偏振光照下器件在零偏压下获得等大反向的信号电流，从而有效规避掉背景自然光对信号光的干扰，大幅提升偏振探测器的探测能力。另外，针对该纳米级探测器，在制备过程中，为尽可能避免由于尺寸误差所带来的光学性能及电学性能的变化，本申请在利用磁控溅射法在氧化锡层外制备导电层时，先通过原子层沉积法在钙钛矿层外生长一层氧化锡作为牺牲层。