简介： 本实用新型公开了一种p‑BN/i‑Ga2O3/n‑Ga2O3的日盲型紫外探测器，包括：衬底、n型Ga2O3层、i型Ga2O3层、p型BN层、n型欧姆电极和p型欧姆电极；n型Ga2O3层位于衬底上；i型Ga2O3层和n型欧姆电极均位于n型Ga2O3层上，i型Ga2O3层和n型欧姆电极之间间隔设置；p型BN层位于i型Ga2O3层上；p型欧姆电极位于p型BN层上；其中，p型BN层采用纤锌矿型氮化硼材料，且p型BN层厚度为50‑100nm。本实用新型通过采用纤锌矿型氮化硼作为p型层，使得p型掺杂激活能只有31meV，可以使得p型BN层较易实现1×1018cm‑3以上的空穴浓度，使得P型氮化硼材料的电阻率可以降到12Ω.cm以下，由于p型BN层能够有效地提供空穴并与金属电极形成良好的欧姆接触，使得探测器的响应时间缩短、量子效率以及光谱响应度提升。