基于ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3/MoO3结构的自驱动光电探测器及其制备方法
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基于ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3/MoO3结构的自驱动光电探测器及其制备方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明提出了一种FTO/ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3/MoO3/Au结构的自驱动光电探测器及其制备方法,其具体结构为FTO层,ZnO纳米棒电子传输层,也是空穴阻挡层,CH3NH3PbI3为钙钛矿吸光层,半导体氧化物MoO3为空穴传输层,也是电子阻挡层,金属电极是由Au膜组成。采用旋涂、水浴、两步法合成、蒸镀等方法制备。本发明利用了ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3形成的有机无机杂化异质结结构及以半导体氧化物MoO3为空穴传输层,使本发明具有较高的响应度和探测器灵敏度,响应率和探测率都分别高达24.3A/W和3.56×1014cmHz1/2/W,同时有一定的自驱动能力,不需要外部偏压来驱动,有利于节约能源。其各项性能远远超过目前所报道的Si基探测器,同时还可以实现近紫外和可见红外的双重探测。本发明操作步骤简单,实验成本低廉,具有较好的应用前景。
本发明提出了一种FTO/ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3/MoO3/Au结构的自驱动光电探测器及其制备方法,其具体结构为FTO层,ZnO纳米棒电子传输层,也是空穴阻挡层,CH3NH3PbI3为钙钛矿吸光层,半导体氧化物MoO3为空穴传输层,也是电子阻挡层,金属电极是由Au膜组成。采用旋涂、水浴、两步法合成、蒸镀等方法制备。本发明利用了ZnO纳米棒/CH3NH3PbI3形成的有机无机杂化异质结结构及以半导体氧化物MoO3为空穴传输层,使本发明具有较高的响应度和探测器灵敏度,响应率和探测率都分别高达24.3A/W和3.56×1014cmHz1/2/W,同时有一定的自驱动能力,不需要外部偏压来驱动,有利于节约能源。其各项性能远远超过目前所报道的Si基探测器,同时还可以实现近紫外和可见红外的双重探测。本发明操作步骤简单,实验成本低廉,具有较好的应用前景。
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标签:探矿技术
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