简介： 本发明属于半导体光电探测技术领域，具体涉及一种基于Cs2AgBiBr6薄膜的光电导型探测器及制备方法。其结构由Si衬底、绝缘的SiO2层、Au叉指电极和Cs2AgBiBr6薄膜构成。其特征在于，采用简单的制备方法实现了非铅Cs2AgBiBr6薄膜的制备，克服了传统钙钛矿结构在不稳定性和铅毒性上的缺点，对钙钛矿光探测器简化工艺、环境友好、进而走向实用化具有非常重要的意义。