简介:
本发明公开了一种CsPbBr3:ZnO QDs基MSM结构探测器、制备方法及应用,其中,制备方法包括如下步骤:S1、清洗衬底;S2、制备电极;S3、制备CsPbBr3钙钛矿溶;S4、制备ZnO QDs溶液;S5、制备CsPbBr3:ZnO QDs混合溶液:将步骤S3和步骤S4获得的CsPbBr3钙钛矿溶液以及ZnO QDs溶液按体积比100:5~10混合,配置成CsPbBr3:ZnO QDs前体溶液;S6、制备光电探测器:将步骤S5获得的CsPbBr3:ZnO QDs混合溶液旋涂在衬底上并退火处理,获得CsPbBr3:ZnO QDs基MSM结构的光电探测器;采用本申请方法制备而成的探测器性能高。
本发明公开了一种CsPbBr3:ZnO QDs基MSM结构探测器、制备方法及应用,其中,制备方法包括如下步骤:S1、清洗衬底;S2、制备电极;S3、制备CsPbBr3
钙钛矿溶;S4、制备ZnO QDs溶液;S5、制备CsPbBr3:ZnO QDs混合溶液:将步骤S3和步骤S4获得的CsPbBr3钙钛矿溶液以及ZnO QDs溶液按体积比100:5~10混合,配置成CsPbBr3:ZnO QDs前体溶液;S6、制备光电探测器:将步骤S5获得的CsPbBr3:ZnO QDs混合溶液旋涂在衬底上并退火处理,获得CsPbBr3:ZnO QDs基MSM结构的光电探测器;采用本申请方法制备而成的探测器性能高。