简介： 本发明属于半导体辐射探测领域，公开了一种提高基于铯铅溴CsPbBr₃的辐射探测器性能的方法，该方法是通过对辐射探测器的吸光层铯铅溴CsPbBr₃钙钛矿材料进行含氧气氛围的退火处理，在避免使CsPbBr₃体相中的溴元素被氧化以致失去钙钛矿结构的前提下，仅在吸光层CsPbBr₃的表面形成宽带隙的铅的氧化物以钝化缺陷，降低暗电流，从而提高辐射探测器CsPbBr₃的辐射探测性能。本发明通过对辐射探测器的吸光层CsPbBr₃进行氧气氛围的退火处理，能够有效解决现有的吸光层缺陷多，暗电流大等问题，同时兼顾灵敏度、稳定性等指标。