简介： 本发明公开了一种无机CsPb_xSn_1‑x(Br_yI_1‑y)₃纳米线的制备方法及其在光电探测器中的应用。其步骤是，室温下，在导电玻璃基底表面依次将碘化铅DMF溶液旋涂成膜，然后退火获得PbI₂薄膜；再将其小心放置于碘化铯和碘化亚锡混合的无水甲醇溶液的封闭培养皿中，放置3～6小时，取出用异丙醇清洗风干；再继续将其放置于有溴化铯的无水甲醇溶液的培养皿中，放置0～120分钟，取出清洗风干并退火；再在其上旋涂一层PMMA的氯苯溶液，然后再退火，获得所述的无机CsPb_xSn_1‑x(Br_yI_1‑y)₃纳米线。本制备方法操作简单，成本低廉，稳定性好；性能参数与全铅的钙钛矿纳米线光电探测器的性能相近。本发明成功将Sn元素部分取代Pb元素，减少了钙钛矿的毒性，为钙钛矿光电器件的发展带来了深远的影响。