简介： 本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种高性能的光电探测器制备方法，在硅基衬底上旋涂CdS_xSe_1‑x纳米片，利用电子束光刻及电子束蒸发镀膜技术沉积上金电极，然后旋涂CsPbBr₃纳米晶体，退火处理后得到全无机CsPbBr₃钙钛矿纳米晶体/二维非层状硒硫化镉纳米片的复合物结构光电探测器。本发明通过利用全无机钙钛矿晶体具有较高的稳定性，同时利用二维非层状材料的优异物理性能与钙钛矿的强光吸收特性相结合，改善复合纳米结构界面处的电荷载流子传输能力，从而提高光电探测器的性能。