简介： 本发明属于光电探测器技术领域，尤其涉及一种量子点光电探测器，包括相对设置的N型半导体层和P型半导体层，以及设置在所述N型半导体层和所述P型半导体层之间的量子点层，所述P型半导体层包括复合金属氧化物，所述复合金属氧化物的分子式为A_n‑1B_nO_3n‑3，其中，A选自金属元素中的任意一种，B选自过渡金属元素中的任意一种，n≥3；所述N型半导体层包括钙钛矿材料。本发明光电探测器包括钙钛矿材料、量子点和复合金属氧化物的P/N结构量子点光电探测器，光响应范围广，可检测200～800nm波长的光信号，灵敏度高，且无需外加电场驱动即可实现对光信号的检测，应用方便灵活。