简介： 本发明涉及光电探测领域，公开了一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器，包括衬底、氮化镓薄膜、钙钛矿层、第一金属电极、第二金属电极，还包括卤素基二维材料层；所述衬底上依次为第一金属电极、钙钛矿层、氮化镓薄膜、卤素基二维材料层、第二金属电极；所述的钙钛矿层与氮化镓薄膜形成异质结，所述的卤素基二维材料层与氮化镓薄膜也形成异质结；本发明提供一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器，通过构建钙钛矿/GaN/PbI₂双异质结结构，来加强PbI₂/GaN界面光生载流子的高效分离，使光导增益更大；本发明还提供了一种基于二维材料与氮化镓薄膜双异质结的光电探测器的制备方法。