热电器件封装界面及其连接方法
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热电器件封装界面及其连接方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明通过在镍金属层上制备针锥锥底直径为200‑500纳米、长度为400‑1000纳米的镍纳米针锥结构层A作为连接面,在铜金属层制备针锥锥底直径为200‑500纳米,针锥长度为400‑1000纳米的镍纳米针锥结构层B作为连接面,基于纳米界面特殊的尺度效应,通过构造纳米键合层,基于原子扩散实现250摄氏度以下的低温冶金连接,能够满足较高的服役温度,同时不同尺寸的纳米结构键合后,会在界面形成柔性多孔连接结构,可以有效吸收服役过程界面热应力能量,减少界面热失配缺陷,提升器件服役寿命。该方法操作简单,与微电子工艺兼容,在各类温区热电器件封装中具有广泛应用前景。
本发明通过在金属层上制备针锥锥底直径为200‑500纳米、长度为400‑1000纳米的镍纳米针锥结构层A作为连接面,在金属层制备针锥锥底直径为200‑500纳米,针锥长度为400‑1000纳米的镍纳米针锥结构层B作为连接面,基于纳米界面特殊的尺度效应,通过构造纳米键合层,基于原子扩散实现250摄氏度以下的低温冶金连接,能够满足较高的服役温度,同时不同尺寸的纳米结构键合后,会在界面形成柔性多孔连接结构,可以有效吸收服役过程界面热应力能量,减少界面热失配缺陷,提升器件服役寿命。该方法操作简单,与微电子工艺兼容,在各类温区热电器件封装中具有广泛应用前景。
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标签:电冶金技术
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