混气管式PECVD系统
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混气管式PECVD系统
来源:河南鸿炉机械设备有限公司
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简介: 该设备可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜,并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好的均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。广泛应用于刀具、高精模具、硬质涂层、高端装饰等领域。
产品详细
混气管式PECVD系统

设备介绍

KJ-T1200-S6015LK1-4Z5S多路混气管式PECVD系统,由KJ-T1200单温区管式炉、真空系统、质子流量计、射频电源系统系统组成。混气管式PECVD系统是为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,环境温度在100-300℃,但反应气体在辉光放电等离子体中能受激分解、离解和离化,从而大大提高了反应物的活性,这些具有反应活性的中性物质很容易被吸附到较次温度的基本表面上,发生非平衡的化学反应沉积生成薄膜,因此这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。

产品优势

成品质量好

PECVD具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点

沉积效果好

等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜

微电脑PID控制器,操作简便

操作简便,控温准确、可靠、安全多段可编程控制,可以简化复杂的试验过程,真正实现自动控制和运行

高真空分子泵组,性能卓越

性能可靠:整体型复合转子,强度高、性能稳定; 洁净无油:采用脂润滑精密陶瓷轴承,无油蒸汽污染

法兰采用双环密封技术

有效的提高了法兰的气氛性,法兰上装有多种接头,可接电阻真空计、真空波纹管并能做成容易撤卸的铰链式。

技术参数

管式炉系统

炉管尺寸 直径60mm(更多规格可按照客户要求定制)

加热区长度 440mm(更多规格可按照客户要求定制)

工作温度 ≤1100℃

最高温度 1200℃

加热元件 电阻丝

炉膛材质 采用高纯氧化纤维炉膛材料,不掉粉、材料保温性能好、反射率高、温场均衡,抗热涨冷缩能力强

控温方式 智能化30段可编程控制(用户可选配液晶触摸屏显示)

真空系统

高真空分子泵组,高真空复合真空计

采用KF25系列波纹管和真空挡板阀连接

质子流量计

高精度质量流量计可准确的控制气体流量

出气真空压力表,内置气体混气系统,

不锈钢针阀计管道,标准双卡套接头

射频电源系统

输出功率 50-500W可调±1%

售后服务 12个月质保、终身保修
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标签:混气管式PECVD系统,管式PECVD系统
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