ITO靶材就是氧化铟和氧化锡粉末按一定比例混合后经过一系列的生产工艺加工成型,再经高温气氛烧结(1600度,通氧气烧结)形成的黑灰色陶瓷半导体。高温ITO靶材炉的烧结高度一直是困扰国内ITO管靶材制造商的问题，恒通针对市场需求，引进国外现金技术理念，不断研发改进，推出性能卓越的ITO靶材烧结炉，助力国内高端靶材市场，提供大尺寸平板烧结炉，管靶烧结炉，为国内靶材制造商烧结工艺增加了更多的选择。恒通最新推出的管靶炉不仅在高度上面有所变化，而且升降装置也跟之前有所不同。

广泛应用：精细陶瓷、电子元件、磁性材料、靶材材料、玻璃、冶金、化工、机械、耐火材料、新材料开发、特种材料、建材等领域。

技术参数：

1. 额定温度：1700℃

2. 长期工作温度：1650℃

3. 电压：380V，50HZ

4. 炉膛材质：陶瓷纤维，保温性能好，耐高温，耐急冷急热

5. 加热元件：硅钼棒

6. 测温元件：B型双铂铑热电偶

7. 气氛：氧气或氮气

8. 控温精度：±1℃

9. 炉温均匀性：±2℃(根据加热室大小而定)

10. 控温方式：PID自整定、自动升温、自动保温、自动降温

11. 多重保护(超温、超流、断偶断电等)

12. 炉体经精致喷塑耐腐蚀耐酸碱，炉体与炉膛隔离，采用风冷，炉体温度接近室温

注：可根据用户要求另行设计制造，更多规格参数及星系技术方案请来电咨询!