简介： 本发明公开了一种低频低介电损耗电子陶瓷材料及其制备方法，所述陶瓷材料采用低温共烧技术进行封装得到，为多层陶瓷材料，具有外层、内层，内层为钙钛矿空间结构的陶瓷材料，分子式为Pb_1‑xA_xB_yC_1‑yO₃；外层分为采用等离子喷涂形成的SiN‑Cr₃C₂‑Ti复合薄膜层。本发明提供的电子陶瓷材料具有单晶相的钙钛矿结构，其具有1:1B位有序排列的阳离子，导致了所合成的陶瓷材料具有铅基体系空间电荷极化的特性，材料遵循非Debye弛豫过程，导电过程具有极化子载流子，使所述陶瓷材料同时具有优良的低频特性、低介电损耗性能以及较高的温度稳定性，其采用一次性固体合成方法，减少了操作步骤，简化了操作流程，提高了生产效率。