3-5μm波段下的低发射率陶瓷材料及其制备方法
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3-5μm波段下的低发射率陶瓷材料及其制备方法
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简介: 本发明公开了一种3‑5μm波段下的低发射率陶瓷材料,具有双钙钛矿结构,分子式为Gd1‑x‑yCaxSryBaCo2‑zCzO5+δ,其中,C为Ni或Fe,0≤x≤0.2,0≤y≤0.2,0≤z≤0.2,0﹤x+y+z≤0.2。本发明的陶瓷材料,在3‑5μm波段下的红外发射率低,特别是在大于等于100℃的高温下,陶瓷材料在3~5μm波段的红外发射率为0.08~0.22,高温稳定性好,可做成涂覆型材料,也可做成结构型材料,拥有广阔的应用前景。
本发明公开了一种3‑5μm波段下的低发射率陶瓷材料,具有双钙钛矿结构,分子式为Gd1‑x‑yCaxSryBaCo2‑zCzO5+δ,其中,C为Ni或Fe,0≤x≤0.2,0≤y≤0.2,0≤z≤0.2,0﹤x+y+z≤0.2。本发明的陶瓷材料,在3‑5μm波段下的红外发射率低,特别是在大于等于100℃的高温下,陶瓷材料在3~5μm波段的红外发射率为0.08~0.22,高温稳定性好,可做成涂覆型材料,也可做成结构型材料,拥有广阔的应用前景。
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