简介： 一种光学存储材料，包括结构为ABO₃结构的钙钛矿无铅铁电陶瓷材料，其特征在于：该无铅铁电陶瓷材料的化学式为Bi_0.495‑xNa_0.5TiO₃:0.005Ho‑xYb，其中0.005≤x≤0.05，通过在A位添加0.005摩尔含量的稀土元素Ho³⁺以及x摩尔含量的稀土元素Yb³⁺，进而实现材料的光存储。本发明还公开了上述光学存储材料的制备方法。与现有技术相比，本发明能实现光学存储，且存储信号稳定。