微波介质陶瓷材料及其制备方法
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微波介质陶瓷材料及其制备方法
来源:北方有色网
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简介: 本发明提供了一种微波介质陶瓷材料,由包括复合氧化物和助烧剂的混合物制备而成;所述复合氧化物的通式为xLa2O3‑ySrO‑zAl2O3‑wTiO2;式(I)中,0<x<10,0≤y<5,0<z<10,0≤w<5。与现有技术相比,本发明提供的微波介质陶瓷材料随着主体成分xLa2O3‑ySrO‑zAl2O3‑wTiO2中x、y、z、w的比例变化,其晶体结构在KNi2F4结构、复合钙钛矿结构和简单钙钛矿结构之间转变,从而具有较高的介电常数及极低的介电损耗,并且随着Ti粒子含量的增加,其频率温度系数在一定范围内呈现增大的趋势。实验结果表明,本发明提供的微波介质陶瓷材料的介电常数介于18.2~50之间,Q*f值能够达到110000GHz,且频率温度系数在‑30ppm/K~+35ppm/K之间可调。
本发明提供了一种微波介质陶瓷材料,由包括复合氧化物和助烧剂的混合物制备而成;所述复合氧化物的通式为xLa2O3‑ySrO‑zAl2O3‑wTiO2;式(I)中,0<x<10,0≤y<5,0<z<10,0≤w<5。与现有技术相比,本发明提供的微波介质陶瓷材料随着主体成分xLa2O3‑ySrO‑zAl2O3‑wTiO2中x、y、z、w的比例变化,其晶体结构在KNi2F4结构、复合钙钛矿结构和简单钙钛矿结构之间转变,从而具有较高的介电常数及极低的介电损耗,并且随着Ti粒子含量的增加,其频率温度系数在一定范围内呈现增大的趋势。实验结果表明,本发明提供的微波介质陶瓷材料的介电常数介于18.2~50之间,Q*f值能够达到110000GHz,且频率温度系数在‑30ppm/K~+35ppm/K之间可调。
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