简介： 本发明公开了高压电性能多元系少铅压电陶瓷及其制备方法，其特征在于由通式(1－x)[(K0.5Na0.5)(1－y)Liy]NbO3－xPb(Zr(1－z)Tiz)O3表示的材料构成，其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各组元中所占的原子数，即原子百分比，0＜x＜1，0≤y＜1，0＜z≤1；所述压电陶瓷的晶体构型为钙钛矿结构。本发明提供的钙钛矿型结构压电陶瓷，其各项性能均优于无铅压电陶瓷，且又能和传统的PZT基压电陶瓷的性能媲美，完全可以满足传感器、谐振器、滤波器等电子元器件的要求。因此，可以取代铅基压电陶瓷，逐步改善环境。